政策需求双支撑 国家级专精特新小巨人锴威特IPO拟登陆科创板

日前，苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“锴威特”）IPO提交注册，拟登陆上交所科创板。据了解，其主要经营的产品包括功率器件和功率IC，两者均属于功率半导体。

功率半导体的应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功 率半导体的使用。根据 Omdia 的数据及预测，2021 年全球功率半导体市场规模 为 462 亿美元（主要包括功率器件、功率 IC 和功率模组），预计 2024 年将达到 522 亿美元。

同时，中国的功率半导体行业在国家相关政策支持、国产化替代加速及资本推动 等因素合力下，取得了长足的进步与发展。根据 Omdia 数据及预测，2021 年中 国功率半导体市场规模为 182 亿美元，预计 2024 年将达 206 亿美元，中国作为 全球最大的功率半导体市场，发展前景十分广阔。

功率半导体行业属于技术密集型行业。半导体行业具有产品更新换代及技术迭代速度较快的特点，公司需要持续研发投入才能在市场中保持竞争优势。自成立以来，锴威特积极响应国家战略部署，坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，持续加大对产品的研发投入，公司2019-2021年研发投入4,045.81万元，年复合增长率达到56.41％；在注重基础研究的同时，深度拓展前沿技术的应用，推动产品的技术高效升级，力求实现产品和技术的自主可控。

在硅基器件方面，锴威特已拥有“多次外延的超级结MOSFET设计平台”“屏蔽栅沟槽MOSFET设计平台”等技术储备。

在第三代半导体器件方面，锴威特已在SiC功率器件的器件结构、关键工艺等方面积累了较多的设计研发经验，掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术，形成了“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”等专利储备，相关产品处于试制阶段。

在功率IC方面，锴威特基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台，已拥有多项IP核的设计与验证和相关积累，已完成针对第三代半导体器件的配套驱动IC样品试制。

锴威特针对光电结合的功率开关，基于SOI工艺平台已完成了8V、12V、16V、20V四个电压段的光电转换芯片的研制并同公司的MOSFET合封来实现固态继电器，相关产品已完成试制阶段认证；公司还通过二次集成已实现了针对不同应用的电机驱动IPM解决方案，已完成500V、600V单相、三相驱动的IPM模块的试制。

值得一提的是，锴威特是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心更是获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。公司已积累了10项核心技术，获得60项授权专利（其中发明专利18项，实用新型专利42项）和36项集成电路布图设计专有权。

未来，锴威特表示将在功率器件和模块封装可靠性、功率IC产品多品类研发、SiC高温封装应用、SiC MOSFET光继电器以及数字电源等产品进行持续深入研究，加大产品在高可靠及工业控制领域的应用，拓展更多的上述领域客户，并进一步推动第三代半导体功率器件产品的加大量产与技术升级。